• Türkçe
    • English
  • Türkçe 
    • Türkçe
    • English
  • Giriş
Öğe Göster 
  •   DSpace@Muğla
  • Araştırma Çıktıları | TR-Dizin | WoS | Scopus | PubMed
  • WoS İndeksli Yayınlar Koleksiyonu
  • Öğe Göster
  •   DSpace@Muğla
  • Araştırma Çıktıları | TR-Dizin | WoS | Scopus | PubMed
  • WoS İndeksli Yayınlar Koleksiyonu
  • Öğe Göster
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Atmospheric aging and light-induced degradation of amorphous and nanostructured silicon using photoconductivity and electron spin resonance

Thumbnail

Göster/Aç

Tam Metin / Full Text (1.253Mb)

Tarih

2014

Yazar

Saleh, Z. M.
Nogay, G.
Ozkol, E.
Yilmaz, G.
Şağban, Mehmet
Güneş, Mehmet
Turan, R.
Article has an altmetric score of 1

See more details

On 1 Facebook pages
9 readers on Mendeley

Üst veri

Tüm öğe kaydını göster

Özet

Previous studies indicate that the dark conductivity in amorphous and microcrystalline silicon may increase or decrease with exposure to deionized water (DIW) or pure oxygen at 80 degrees C but always decreases with light exposure. While the light-induced effect is linked to paramagnetic dangling bonds (D degrees), the origin of metastability in microcrystalline silicon remains unclear. In this study, we use steady-state photoconductivity (SSPC), dual-beam photoconductivity (DBP), and electron spin resonance (ESR), to study the behaviors under soaking in DIW and (or) pure oxygen at 80 degrees C and light-exposure of amorphous (a-Si:H) and nanostructured (nc-Si:H) silicon samples deposited in a capacitively coupled plasma-enhanced chemical vapor deposition system. Powders from thick samples of low and high crystallinity (Xc) peeling off large substrates were collected in quartz tubes for ESR measurements. Dark conductivity decreases upon exposure to pure oxygen at 80 degrees C for nc-Si: H but remains unchanged for a-Si: H. The ESR signal attributed to D degrees decreases with soaking in DIW for high and low crystallinity nc-Si: H but the effect is more significant for higher Xc. Changes in SSPC, DBP, and ESR are used to compare the degradation mechanisms because of O-2 exposure and light for amorphous and nanostructured silicon.

Kaynak

Canadian Journal of Physics

Cilt

92

Sayı

7-8

Bağlantı

https://doi.org/10.1139/cjp-2013-0573
https://hdl.handle.net/20.500.12809/3440

Koleksiyonlar

  • Fizik Bölümü Koleksiyonu [189]
  • Scopus İndeksli Yayınlar Koleksiyonu [6219]
  • WoS İndeksli Yayınlar Koleksiyonu [6466]



DSpace software copyright © 2002-2015  DuraSpace
İletişim | Geri Bildirim
Theme by 
@mire NV
 

 




| Politika | Rehber | İletişim |

DSpace@Muğla

by OpenAIRE
Gelişmiş Arama

sherpa/romeo

Göz at

Tüm DSpaceBölümler & KoleksiyonlarTarihe GöreYazara GöreBaşlığa GöreKonuya GöreTüre GöreDile GöreBölüme GöreKategoriye GöreYayıncıya GöreErişim ŞekliKurum Yazarına GöreBu KoleksiyonTarihe GöreYazara GöreBaşlığa GöreKonuya GöreTüre GöreDile GöreBölüme GöreKategoriye GöreYayıncıya GöreErişim ŞekliKurum Yazarına Göre

Hesabım

GirişKayıt

DSpace software copyright © 2002-2015  DuraSpace
İletişim | Geri Bildirim
Theme by 
@mire NV
 

 


|| Politika || Rehber|| Yönerge || Kütüphane || Muğla Sıtkı Koçman Üniversitesi || OAI-PMH ||

Muğla Sıtkı Koçman Üniversitesi, Muğla, Türkiye
İçerikte herhangi bir hata görürseniz, lütfen bildiriniz:

Creative Commons License
Muğla Sıtkı Koçman Üniversitesi Institutional Repository is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivs 4.0 Unported License..

DSpace@Muğla:


DSpace 6.2

tarafından İdeal DSpace hizmetleri çerçevesinde özelleştirilerek kurulmuştur.