• Türkçe
    • English
  • Türkçe 
    • Türkçe
    • English
  • Giriş
Öğe Göster 
  •   DSpace@Muğla
  • Araştırma Çıktıları | TR-Dizin | WoS | Scopus | PubMed
  • WoS İndeksli Yayınlar Koleksiyonu
  • Öğe Göster
  •   DSpace@Muğla
  • Araştırma Çıktıları | TR-Dizin | WoS | Scopus | PubMed
  • WoS İndeksli Yayınlar Koleksiyonu
  • Öğe Göster
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Electrical characterization of Au/Pd/n-GaN/Pd/Au device structure in the radio frequency range by simulation study

Tarih

2011

Yazar

Kavasoglu, A. Sertap
Kavasoglu, Nese
Oylumluoglu, Gorkem

Üst veri

Tüm öğe kaydını göster

Özet

GaN based devices are highly promising optoelectronic devices for many years due to their useful applications in photovoltaic energy conversation, fiber optic communication and atmosphere monitoring. GaN based devices such as Schottky barrier, metal-semiconductor-metal and p-i-n structure have been fabricated and characterized so far. A proper understanding of the impedance or admittance spectroscopy result is crucial since it is a powerful tool to calculate the physical and electronic parameters of a device. In this study, temperature dependent dark current-voltage (I-V) and dark impedance spectra of n type GaN based metal-semiconductor-metal device have been studied with current-voltage and impedance spectra by simulation. All current-voltage characteristics exhibited good rectification behavior. The forward and reverse bias capacitance-voltage (C-V) characteristics of the Au/Pd/n-GaN/Pd/Au device were simulated at 2 MHz probing frequency. Nyquist plots of simulated device at 295 K are shown that two-barrier heights can be observable above critical threshold bias point. Frequency depended inverse dielectric loss tangent spectra of Au/Pd/n-GaN/Pd/Au device at different DC bias voltages also shows significant two peaks. This indicates that our simulation is extremely useful for determination of potential barrier numbers. (C) 2011 Elsevier B.V. All rights reserved.

Kaynak

Synthetic Metals

Cilt

161

Sayı

13-14

Bağlantı

https://doi.org/10.1016/j.synthmet.2011.05.018
https://hdl.handle.net/20.500.12809/4361

Koleksiyonlar

  • Scopus İndeksli Yayınlar Koleksiyonu [6219]
  • WoS İndeksli Yayınlar Koleksiyonu [6466]



DSpace software copyright © 2002-2015  DuraSpace
İletişim | Geri Bildirim
Theme by 
@mire NV
 

 




| Politika | Rehber | İletişim |

DSpace@Muğla

by OpenAIRE
Gelişmiş Arama

sherpa/romeo

Göz at

Tüm DSpaceBölümler & KoleksiyonlarTarihe GöreYazara GöreBaşlığa GöreKonuya GöreTüre GöreDile GöreBölüme GöreKategoriye GöreYayıncıya GöreErişim ŞekliKurum Yazarına GöreBu KoleksiyonTarihe GöreYazara GöreBaşlığa GöreKonuya GöreTüre GöreDile GöreBölüme GöreKategoriye GöreYayıncıya GöreErişim ŞekliKurum Yazarına Göre

Hesabım

GirişKayıt

DSpace software copyright © 2002-2015  DuraSpace
İletişim | Geri Bildirim
Theme by 
@mire NV
 

 


|| Politika || Rehber|| Yönerge || Kütüphane || Muğla Sıtkı Koçman Üniversitesi || OAI-PMH ||

Muğla Sıtkı Koçman Üniversitesi, Muğla, Türkiye
İçerikte herhangi bir hata görürseniz, lütfen bildiriniz:

Creative Commons License
Muğla Sıtkı Koçman Üniversitesi Institutional Repository is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivs 4.0 Unported License..

DSpace@Muğla:


DSpace 6.2

tarafından İdeal DSpace hizmetleri çerçevesinde özelleştirilerek kurulmuştur.