• Türkçe
    • English
  • Türkçe 
    • Türkçe
    • English
  • Giriş
Öğe Göster 
  •   DSpace@Muğla
  • Araştırma Çıktıları | TR-Dizin | WoS | Scopus | PubMed
  • WoS İndeksli Yayınlar Koleksiyonu
  • Öğe Göster
  •   DSpace@Muğla
  • Araştırma Çıktıları | TR-Dizin | WoS | Scopus | PubMed
  • WoS İndeksli Yayınlar Koleksiyonu
  • Öğe Göster
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Electrical characterization of novel Si solar cells

Tarih

2006

Yazar

Tuzun, O.
Oktik, S.
Altindal, S.
Mammadov, T. S.

Üst veri

Tüm öğe kaydını göster

Özet

A new approach for hybrid metal-insulator-semiconductor Si solar cells is adopted by the Institute of Fundamental Problems for High Technology, Ukrainian Academy of Sciences. in this technique, the porous silicon layers are created on both sides of single crystal wafers by chemical etching before an improved MIS cell preparation process. Using this technique, the solar cells with efficiencies above 15% have been obtained under AM1.5 condition (under 100 mW/cm(2) illumination at 25 degrees C). In this work the dark current-voltage-temperature(I-V-T) characteristics of these cells are studied over a temperature range between 79 and 400 K. The dark capacitance-voltage (C-V) and conductance-voltage (G-V) behaviours of these cells at 100 kHz are analysed for the same temperature range. At room temperature C-V and G-V measurements are also made under illumination levels changing five folds. The diode ideality factors calculated from the dark I-V characteristics are significantly larger than unity and exhibit strong temperature dependence. The analysis of the temperature tendencies of diode ideality factor in these cells indicated that the current transport mechanism consists of both the trap-assisted tunnelling and the thermionic emission. While the temperature decreases, the barrier height calculations from I-V-T and C-V-T measurements showed that phi(B)(I-V) decreases whereas phi(B)(C-V) increases. The difference in phi(B)(I-V) and phi(B)(C-V) values and in their temperature dependence are explained by a model assuming Gaussian distribution of barrier heights. All the results are analysed after series resistance corrections. (c) 2005 Elsevier B.V. All rights reserved.

Kaynak

Thin Solid Films

Cilt

511

Bağlantı

https://doi.org/10.1016/j.tsf.2005.12.104
https://hdl.handle.net/20.500.12809/5182

Koleksiyonlar

  • Scopus İndeksli Yayınlar Koleksiyonu [6219]
  • WoS İndeksli Yayınlar Koleksiyonu [6466]



DSpace software copyright © 2002-2015  DuraSpace
İletişim | Geri Bildirim
Theme by 
@mire NV
 

 




| Politika | Rehber | İletişim |

DSpace@Muğla

by OpenAIRE
Gelişmiş Arama

sherpa/romeo

Göz at

Tüm DSpaceBölümler & KoleksiyonlarTarihe GöreYazara GöreBaşlığa GöreKonuya GöreTüre GöreDile GöreBölüme GöreKategoriye GöreYayıncıya GöreErişim ŞekliKurum Yazarına GöreBu KoleksiyonTarihe GöreYazara GöreBaşlığa GöreKonuya GöreTüre GöreDile GöreBölüme GöreKategoriye GöreYayıncıya GöreErişim ŞekliKurum Yazarına Göre

Hesabım

GirişKayıt

DSpace software copyright © 2002-2015  DuraSpace
İletişim | Geri Bildirim
Theme by 
@mire NV
 

 


|| Politika || Rehber|| Yönerge || Kütüphane || Muğla Sıtkı Koçman Üniversitesi || OAI-PMH ||

Muğla Sıtkı Koçman Üniversitesi, Muğla, Türkiye
İçerikte herhangi bir hata görürseniz, lütfen bildiriniz:

Creative Commons License
Muğla Sıtkı Koçman Üniversitesi Institutional Repository is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivs 4.0 Unported License..

DSpace@Muğla:


DSpace 6.2

tarafından İdeal DSpace hizmetleri çerçevesinde özelleştirilerek kurulmuştur.